Question
10. O que são ligas intersticiais e substitucion ais? Sob quais condições podem ocorre ligas intersticiais? 11. Entre os semiconduto res Si(s) e Ge(s) qual apresentará maior semicondutividade?Justifique sua resposta baseando-se na teoria de bandas Desenhe as estruturas de bandas para cada um.
Solution
4.2
(215 Votos)
Tiago
Mestre · Tutor por 5 anos
Resposta
10. Ligas intersticiais são compostas por átomos de diferentes elementos que se combinam em proporções fixas para formar uma estrutura cristalina. Essas ligas são caracterizadas pela presença de átomos de um elemento que ocupam espaços vazios entre os átomos de outro elemento na estrutura cristalina.Ligas substitucionais, por outro lado, são formadas quando um átomo de um elemento substitui um átomo de outro elemento em uma estrutura cristalina. Nesse caso, o átomo substituto possui propriedades químicas e físicas diferentes do átomo original, o que pode resultar em mudanças nas propriedades da liga.As ligas intersticiais podem ocorrer quando há espaços vazios na estrutura cristalina de uma liga. Esses espaços podem ser preenchidos por átomos de um elemento diferente, resultando na formação de uma liga intersticial. As condições para a formação de ligas intersticiais incluem a presença de espaços vazios na estrutura cristalina e a disponibilidade de átomos de um elemento que possam ocupar esses espaços.11. Entre os semicondutores Si (silício) e Ge (germanium), o silício apresentará maior semicondutividade. Isso ocorre porque o silício possui uma energia de banda proibida maior em comparação ao germanium. A teoria de bandas explica que a semicondutividade de um material depende da energia necessária para promover um elétron da banda de valência para a banda de condução. Quanto maior a energia de banda proibida, maior será a energia necessária para promover os elétrons, resultando em menor semicondutividade.A estrutura de bandas para o silício mostra uma banda de valência mais estreita e uma banda de condução mais próxima uma da outra em comparação ao germanium. Isso significa que é necessário mais energia para promover os elétrons da banda de valência para a banda de condução no silício, resultando em menor semicondutividade em comparação ao germanium.